HAYOT жамғармасининг бепул миллий лойиҳаси

Яримўтказгичдаги тешилиш

Яримўтказгичдаги тешилиш
1 та луғатда учрайди ЖСОН Шеваларда
Электрон техника ва радиоелектроника луғати

Яримўтказгичдаги тешилиш

Яримўтказгич орқали ўтадиган электр токининг қўйилган потенциаллар фарқи намунага нисбатан кам ўзгарганда кескин ошиб кетиш ҳодисаси. Тешилишнинг асосий сабаби зарбли ионлашиш ва кучли электр майдонларда заряд ташувчиларнинг кўчки кўпайиши ҳисобланади.русчапробой в полупроводнике, Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.инглизчаbreakdown in semiconductors

Мақоладаги хато ҳақида хабар бериш