Yarimoʻtkazgichdagi teshilish ru - proboy v poluprovodnike en - breakdown in semiconductors
Яримўтказгичдаги тешилиш ру - пробой в полупроводнике эн - бреакдовн ин семикондукторсЯримўтказгичдаги тешилиш ru - пробой в полупроводнике en - breakdown in semiconductors
- Яримўтказгич орқали ўтадиган электр токининг қўйилган потенциаллар фарқи намунага нисбатан кам ўзгарганда кескин ошиб кетиш ҳодисаси. Тешилишнинг асосий сабаби зарбли ионлашиш ва кучли электр майдонларда заряд ташувчиларнинг кўчки кўпайиши ҳисобланади. Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.