Яримўтказгичдаги тешилиш ру - пробой в полупроводнике эн - бреакдовн ин семикондукторс
Yarimoʻtkazgichdagi teshilish ru - proboy v poluprovodnike en - breakdown in semiconductorsЯримўтказгичдаги тешилиш ru - пробой в полупроводнике en - breakdown in semiconductors
- Яримўтказгич орқали ўтадиган электр токининг қўйилган потенциаллар фарқи намунага нисбатан кам ўзгарганда кескин ошиб кетиш ҳодисаси. Тешилишнинг асосий сабаби зарбли ионлашиш ва кучли электр майдонларда заряд ташувчиларнинг кўчки кўпайиши ҳисобланади. Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.